Η νέα απόδοση επετεύχθει σε ένα εξάιντσο Czochralski, τύπου p wafer που χρησιμοποιεί τεχνολογία Laser Doping Selective Emitter. Πιο συγκεκριμένα, η Shinsung χρησιμοποίησε βαρύ doping στα ηλεκτρόδια του κυττάρου και ελαφρύ στο υπόλοιπο κύτταρο. <br><br> «Αυτό έχει μεγιστοποιήσει την απορόφηση του φωτός με μικρό μήκος κύμματος και επομένως αυξάνει η κυκλοφορία του ηλεκτρικού κύμματος. Ακόμη, όσο αυτή η τεχνολογία χρησιμοποιείται μόνο στο μπροστινό μέρος του κυττάρου, αναμένεται υψηλότερη απόδοση εάν η επεξεργασία στο πίσω μέρος αλλάξει εξίσου», αναφέρει σε ανακοίνωση η εταιρεία. <br><br>Όσον αφορά την εμπορευματοποίηση, η ετιαρεία προσθέτει ότι μόλις ένα μέρος της παραγωγής έχει αλλάξει, υπονοώντας την άμεση μαζική παραγωγή του νέου προϊόντος.
Home | Sitemap | Συνεργασία | Επικοινωνία |
Copyright © 2025 - 4green.gr